Общие характеристики:
Форм-фактор: M.2 2280
Объем: 512Гб
Интерфейс: PCIe Gen3 8Gb/s
Контроллер: SM2263ENG
Чипы памяти: Toshiba TA7BG95AYV NAND Flash TLC
Скорость чтения/записи: 1950/1250 Мб/с
Время наработки на отказ: 1 500 000 ч
Форм-фактор: M.2 2280
Объем: 512Гб
Интерфейс: PCIe Gen3 8Gb/s
Контроллер: SM2263ENG
Чипы памяти: Toshiba TA7BG95AYV NAND Flash TLC
Скорость чтения/записи: 1950/1250 Мб/с
Время наработки на отказ: 1 500 000 ч